AI요약

기존 엔모스 기반 이퓨즈 오티피 셀은 딥엔웰 마스크 추가가 필요해 공정 비용이 상승하는 문제가 있었습니다. 이를 해결하기 위해 엔웰 내 피모스 트랜지스터와 이퓨즈 링크를 결합한 새로운 셀 구조를 제안합니다. 이 기술은 피모스 트랜지스터에서 기생적으로 발생하는 pn 접합 다이오드를 이퓨즈 링크 블로잉에 직접 활용하는 방식을 채택했습니다. 결과적으로 추가적인 마스크 공정 없이도 엔모스 트랜지스터와 동일한 수준의 소형 셀 사이즈를 유지하며 반도체 공정 단가를 획기적으로 낮출 수 있습니다. 전력 반도체 구동을 위한 아날로그 트리밍 및 자동차용 전력 관리 IC 등 다양한 비휘발성 메모리 분야에서 높은 실용성을 제공합니다.