AI요약

기존 PMIC용 비휘발성 메모리는 고전압 소자 사용을 위한 추가 마스크와 복잡한 공정 비용이 발생하는 한계가 있었습니다. 본 기술은 -8V에서 +8V 사이의 분할 바이어스 전압을 활용하여 별도의 고전압 소자 없이도 구동 가능한 MTP 셀 및 어레이 설계 방식을 제안합니다. 커플링 커패시터와 센스 트랜지스터를 격리된 웰 구조에 배치하고 웰 간격을 0.6μm로 최적화하여 정션 브레이크다운 현상을 효과적으로 방지했습니다. 이를 통해 추가 마스크 공정 없이 표준 BCD 공정만으로 메모리를 구현할 수 있어 전력 관리 반도체의 경제성과 소형화를 동시에 달성할 수 있습니다.