AI요약

USB Type-C 및 무선 충전기 등 다양한 전압 환경에서 동작하는 비휘발성 메모리는 전원 전압 변동에 따른 전하 펌프의 리플 전압 발생이 큰 문제였습니다. 이를 해결하기 위해 버티컬 PIP 커패시터 구조의 MTP 셀과 전원 전압(VCC) 검출 기반의 적응형 전하 펌프 제어 기술이 개발되었습니다. 외부 전압을 실시간으로 감지하여 동작하는 전하 펌프의 개수를 최적화함으로써, 2.5V에서 5.5V 사이의 넓은 전압 범위에서도 리플 전압을 목표치의 3% 이내로 정밀하게 억제합니다. 이 기술은 110nm 공정에서 메모리 셀 면적을 획기적으로 줄이면서도 높은 구동 효율과 내구성을 보장하여 차세대 MCU 및 PMIC 설계에 최적의 솔루션을 제공합니다.